CSD18540Q5B

價格：￥
品牌：TI（德州儀器)封裝：8-VSON庫存渠道：原裝現(xiàn)貨 包裝方式：卷帶標準包裝數：2500最小起訂量：1產品庫存：840

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產品介紹

類別 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單個  
制造商 Texas Instruments  
系列 NexFET  
零件狀態(tài) 在售  
FET 類型 N 通道  
技術 MOSFET（金屬氧化物）  
漏源電壓（Vdss） 60 V  
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 100A（Ta）  
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 2.2 毫歐 @ 28A，10V  
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 250μA  
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 53 nC @ 10 V  
Vgs（最大值） ±20V  
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 4230 pF @ 30 V  
FET 功能 -  
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），195W（Tc）  
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  
安裝類型 表面貼裝型  
供應商器件封裝 8-VSON-CLIP（5x6）  
封裝/外殼 8-PowerTDFN 

產品參數

FET 類型 N 通道  
技術 MOSFET（金屬氧化物）  
漏源電壓（Vdss） 60 V  
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 100A（Ta）  
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 2.2 毫歐 @ 28A，10V  
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 250μA  
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 53 nC @ 10 V  
Vgs（最大值） ±20V  
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 4230 pF @ 30 V  
FET 功能 -  
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），195W（Tc）  
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  
安裝類型 表面貼裝型  
供應商器件封裝 8-VSON-CLIP（5x6）  
封裝/外殼 8-PowerTDFN 

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