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價(jià)格：￥
品牌：TI（德州儀器）封裝：8-VSONP庫存渠道：原裝現(xiàn)貨 包裝方式：卷帶標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)：250最小起訂量：1產(chǎn)品庫存：3250

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產(chǎn)品介紹

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)  
制造商 Texas Instruments  
系列 NexFET  
零件狀態(tài) 在售  
FET 類型 N 通道  
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  
漏源電壓（Vdss） 30 V  
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 35A（Ta）  
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 4.8 毫歐 @ 16A，10V  
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 1.8V @ 250μA  
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V  
Vgs（最大值） ±20V  
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 2310 pF @ 15 V  
FET 功能 -  
功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），53W（Tc）  
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  
安裝類型 表面貼裝型  
供應(yīng)商器件封裝 8-VSONP（3x3.3）  
封裝/外殼 8-PowerVDFN 

產(chǎn)品參數(shù)

FET 類型 N 通道  
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  
漏源電壓（Vdss） 30 V  
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 35A（Ta）  
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 4.8 毫歐 @ 16A，10V  
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 1.8V @ 250μA  
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V  
Vgs（最大值） ±20V  
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 2310 pF @ 15 V  
FET 功能 -  
功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），53W（Tc）  
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  
安裝類型 表面貼裝型  
供應(yīng)商器件封裝 8-VSONP（3x3.3）  
封裝/外殼 8-PowerVDFN 

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